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复旦大学设计出新型态光敏感性半导体内存

时间:70-01-01 08:00 来源:

近日有研究团队基于原子级薄度的半导体设计出一种内存,除了具有良好的性能,也可以在完全不需要电力辅助的情况下,用光线就能消除储存数据,团队认为这种新的内存在系统整合型面板(System on Panel)上, 具有十分大的应用潜力。

本文引用地址:http://www.eepw/article/201801/373841

Phys.org 报导,复旦大学和中国科学院微电子研究所的 Long-Fei He 及相关研究人员最近在新的应用物理学快报(AIP)期刊上发表了一个关于新型态内存的论文。

由于大多数现有的内存技术都太过笨重,无法整合应用在显示面板上,研究人员一直都在研究全新的设计和材料,试图制造出同样具有良好性能、却能超薄的储存设备。

在这项新的研究中,研究人员透过二维过度金属材料「二硫化钼」(MoS2)的应用,创造出一种原子级薄度的半导体,它的电导率(conductivity)可以被精细的调整,进而形成具有高开关电流比的内存基础组件。

除此之外,团队也在测试中证实,这类型内存具有运行速度快、大容量的内存空间和优异的保存性,研究人员估计,即使处在 85°C(185°F)的高温下 10 年,储存空间仍可以保存原有的 60% 左右,对于实际应用来说仍然足够。

过去已有研究证实二硫化钼具有光敏性(photoresponsive),这意味着一些性质可以运用光来控制,为了了解实际应用情况,团队也实际进行了相关实验,结果他们发现,当光线照射到已编程的存储设备上时,储存数据被完全消除, 但同时运用电压抹除信息的方式也仍然可以使用。

合着人 Hao Zhu 表示,团队目前正在研究透过编程可控的光脉冲波长和时间,来大规模整合这种储存组件。 研究人员相信未来这种储存设备,将会在系统整合型面板的应用上扮演重要角色。

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